field-effect transistor

field-effect transistor (FET) (син. unipolar transistors) − полевой транзистор − полупроводниковый прибор, через который протекает поток основных носителей зарядов, регулируемый поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным между затвором и стоком или между затвором и истоком; так как принцип действия полевых транзисторов основан на перемещении основных носителей заряда одного типа (электронами или дырками), такие приборы ещё называют униполярными, тем самым противопоставляя их биполярным; полевой транзистор по принципу действия аналогичен вакуумному триоду; исток в полевом транзисторе подобен катоду вакуумного триода, затвор − сетке, сток – аноду; при этом существуют и отличия, например: в транзисторе отсутствует катод, который требует подогрева; любую из функций истока и стока может выполнять любой из этих электродов; полевые транзисторы имеют значительно большие входные сопротивления, что связано с обратным смещением p-n-перехода затвора в рассматриваемом типе полевых транзисторов; применяемые в схемах предусилителей (см. preamplifier) для МР-томографов, полевые транзисторы обладают низким уровнем шума (особенно на низких частотах) (см. signal-to-noise ratio), поскольку в полевых транзисторах не используется явление инжекции неосновных носителей заряда, и канал полевого транзистора может быть отделён от поверхности полупроводникового кристалла.